Описание:

IMS Wf может работать с подложками размером 300 мм и имеет систему распознавания специальных знаков на пластине для точного автоматического позиционирования.

Метод SIMS для больших подложек

Применяется для контроля и разработки процессов легирования в полупроводниковой промышленности, оптимизирован для оценки профиля распределения примесей на сверх малых глубинах. В этих приборах используется распыление образцов ионным пучком со сверхнизкой энергией, при сохранении высокой чувствительности анализаторов с магнитным сектором CAMECA. IMS Wf может работать с подложками размером 300 мм и имеет систему распознавания специальных знаков на пластине для точного автоматического позиционирования. Данный метрологический прибор может быть оборудован контейнерами FOUP размером 300 мм или контейнерами SMIF размером 200 мм и может управляться дистанционно для использования в производстве микроэлектроники. Благодаря высокому уровню автоматизации, он выполняет быстрое измерение профиля легирования на значительной глубине, обладает оптимально высокой производительностью и превосходной стабильностью измерений, что обеспечивает непревзойденную эффективность.

Когда твёрдый образец бомбардируют первичным потоком ионов с энергией в несколько кэВ, с ионизированной поверхности образца выбивают некоторое количество частиц. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry - масс-спектрометрия вторичного потока ионов) заключается в анализировании этого вторичного потока ионов с помощью масс-спектрометра.    

Анализ вторичного потока ионов с поверхности образца при ионной бомбардировке даёт информацию об элементном, изотопном и молекулярном строении самых верхних атомных слоёв образца. 

SIMS - самая чувствительная методика определения элементного и изотопного строения поверхностного слоя. 

Полученные данные о вторичном потоке очень сильно зависят от химического состава окружающей среды и условий бомбардировки первичным потоком (ионы, энергия, угол). Это может добавить сложности при количественном аспекте анализа.

Методика SIMS обеспечивает уникальное сочетание крайне высокой чувствительности для всех элементов от водорода до урана (предел определения вплоть до ppb-уровня многих элементов), воспроизведение изображения с высоким разрешением по плоскости (до 40 нм) и очень низкий фон, который обеспечивает большой динамический диапазон (больше, чем 5 десятичных разрядов). SIMS - разрушающая методика анализа по природе. Её можно применять к любому типу материалов (изоляторы, полупроводники, металлы), которые могут находиться в вакууме. 

Методика позволяет проводить как элементный, так и молекулярный анализ верхнего монослоя в статическом режиме SIMS. Она также позволяет исследовать объёмные структуры или распределение микроэлементов вглубь в динамическом режиме SIMS, с разрешением вглубь от 1 до 20-30 нм. Вот почему методика SIMS одна из самых распространенных методик поверхностного анализа для углубленного исследования материалов. CAMECA разработала завершенный ряд SIMS-анализаторов, каждый из этих высокотехнологичных инструментов гарантирует наилучшее выполнение поставленной задачи.