Описание:

MA/BA6 Gen3 представляет собой инновационную установку совмещения, предназначенную для научно-исследовательской деятельности и производства. Она обеспечивает высокую гибкость процессов и предлагает новые характеристики и ключевые компоненты, такие как система управления на базе Windows, автоматическое совмещение или совмещение с подсказками и компенсация погрешности. Установку совмещения можно дополнительно оборудовать системой для импринт литографии (SMILE) для большой площади.

Система MA/BA6 Gen3 является отличным выбором для проведения литографии всей поверхности пластины для процессов в области МЭМС, 3D-интеграции и составных полупроводников. 

Основные возможности:

• Оптика высокого разрешения (HR) позволяет формировать структуру с элементами размером менее 0.5 мкм
• Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
• Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
• Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
• Оптимизированный микроскоп с двойным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
• Простое переключение в режим совмещения для сращивания
• Возможна модернизация до 8"

Благодаря способности обрабатывать любые типы пластин и подложек, ручные установки совмещения все чаще используются в производственной среде. Новая установка совмещения и экспонирования MA/BA6 Gen3 отвечает постоянно растущим требованиям более жесткого контроля процесса и высокой производительности. Установка MA/BA6 Gen3 предназначена для быстрой и эффективной разработки новых технологий и изделий. Исследовательские организации выиграют от расширенных возможностей данной машины, поскольку она позволит разрабатывать необходимые процессы на оборудовании, выполненном в соответствии с отраслевыми стандартами. Система позволяет легко и экономично перенести процесс из лаборатории в производство. Возможна модернизация установки MA/BA6 Gen3 до 8".

Интегрированная функциональность

Помимо режима стандартной установки совмещения MA/BA6 Gen3 предлагает целый ряд функций, например нано-импринтинг, совмещение для сращивания и УФ-сращивание с возможностью быстрого переключения между ними.

Расширяем границы технологии

Не имеющая аналогов точность совмещения в сочетании с высоким разрешением и максимальной равномерностью подсветки делают MA/BA6 Gen3 оптимальным выбором для применения в различных областях - от МЭМС, оптоэлектроники и 3D-интеграции до микрооптики и нанотехнологий.

Наноимпринт-литография.

Отверстия шириной 160 нм, расположенные в форме концентрических колец, используются в фотонных кристаллах

 

 

МЭМС. Напечатанные структуры 500 мкм SU8

Технические характеристики: 

* Доступное разрешение зависит от качества контакта, типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться в зависимости от процесса (толщина резиста 1 мкм, линии и пробелы)