Система репликации маски включает в себя источник излучения (ближний и дальний УФ), источник питания и ручной либо автоматический контроллер экспозиции. Этот продукт в основном сосредоточен на процессе единичной литографии с высокой производительностью при низкой стоимости решения.

Основные технические характеристики

• Область экспозиции может быть 4", 6", 8" и т.д. до 20"
• Источника света 6", 350Вт (ближний УФ)
• 365 нм: выходная интенсивность - 18-20 мВт/см2
• 400 нм: выходная интенсивность - 35-40 мВт/см2