Основные технические характеристики 

• Размер области однородного излучения: 8” 
• Однородность пучка:
  •     < ±1% в пределах области 4” (квадрат)
  •     < ±2% в пределах области 6” (квадрат)
  •     < ±3% в пределах области 8” (квадрат)
• Разрешающая способность:
  •     < 0.5 микрон для вакуумного и жёсткого контакта (экспонирование в ближнем УФ)
  •     < 0.8 микрон для мягкого контакта
  •     < 1 микрон для зазора 50 микрон
  •     < 2 микрона для зазора 100 микрон
• Точность совмещения: +/- 0.5 микрон
• Работа с позитивными, негативными и толстыми фоторезистами, толщина фоторезиста SU-8 до 300 микрон в пропорции до 10:1 
• Мягкий, жёсткий, вакуумный контакт и экспонирование с зазором
• Управляющий источник питания с постоянной интенсивностью и мощностью
• Источник  света для ближнего УФ, 500 Вт, 8” (с широкополосным зеркалами 365/400/436 нм)
  •     365 нм: выходная интенсивность – 18-20 мВт/см2
  •     400 нм: выходная интенсивность – 35-40 мВт/см2
  •     436 нм: выходная интенсивность – 8-10 мВт/см2
• 8” источник излучения для экспонирования, спектральные линии G, H и I
• Ближний и дальний диапазон УФ излучения
• Работа с 2”- 8”, круглыми и квадратными  подложками
• Сдвоенная ПЗС-камера и микроскоп, с единым и расщеплённым полем (опция)
• Возможность расширения до двухсторонней системы экспонирования (опция).